产品信息 非易失性随机访问存储器 (NV RAM) 5家厂商的产品信息単
什么是非易失性随机访问存储器 (NV RAM)？
NV RAM（非易失性RAM，非易失性随机存取存储器）是一个通用术语，指的是在没有电源的情况下保留内存并可重写的存储器。 该类别将非易失性RAM列为一种元素。 类型包括磁阻式RAM（MRAM）、电阻变化存储器（ReRAM）和铁电存储器（FeRAM，FRAM）。 那些带有SRAM和备用电源的也被称为nvSRAM。
- FeRAM(铁电RAM), 具有高性能和高可靠性的非易失性存储器
- Fujitsu Semiconductor Memory Solution
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FeRAM（铁电随机存取存储器）与其他传统的非易失性存储器产品相比, 具有更高的读写耐久性, 快的写入速度和更低的功耗等优点。
FeRAM 产品阵容的概要如下。
●密 度: 4Kbit 至 8Mbit
●接 口: 串行接口(SPI、I2C)、并行接口(Parallel)
●电源电压: 1.7～1.95V、或 1.8～3.6V、或2.7～5.5V
●最佳用途: 实时数据记录、位置/操作数据记录
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Fujitsu Semiconductor Memory Solution
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ReRAM(电阻式随机存取存储器)
ReRAM代表电阻式随机存取存储器，是一种非易失性存储器，具有低功耗和快速写入的特长。该存储器在所有存储器产品中的读取电流都非常小，特别适合于助听器等可穿戴设备。
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FeRAM (单元)
FeRAM (铁电RAM) 是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。 与传统的非易失性存储器 (如EEPROM，闪存) 相比，FeRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。富士通FeRAM器件从开始交付给工业市场已超过21年。 因此，富士通FeRAM是具有成熟量产制造经验的高性能和高度可靠的存储器。
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Microchip Technology
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串行EERAM
断电时不会丢失数据的SRAM
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Serial NVSRAM
串行NVSRAM
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意法半导体(STMicroelectronics)
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NVRAM
ZEROPOWER®器件
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Everspin Technologies
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MRAM
存储器、MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。
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博维逻辑半导体(MCLogic)
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NVSRAM
SPI NVSRAM
• 提供32Kb - 1Mb容量
• 读写速度高达133Mhz，支持快速读写
• 提供SOP-8/DFN-8/SOP-16封装
• 支持2.7V-3.6V电压
QSPI NVSRAM
• 提供256Kb - 1Mb容量
• 提供SOIC/BGA/SOP-16封装
• 支持2.7V-3.6V电压, 可支持IO 1.8V电压
Async NVSRAM
• 提供256Kb - 4Mb容量
• 读写速度可达10nS
• 电压2.7V-3.6V，可支持IO 1.8V电压
• 提供TSOP II/BGA封装
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