产品信息 SiC肖特基势垒二极管 16家厂商的产品信息単
什么是SiC肖特基势垒二极管？
SiC肖特基势垒二极管是由碳化硅（SiC，碳化硅）制成的肖特基势垒二极管（SBDs）。 与硅（Si）相比，碳化硅（SiC）是一种具有高击穿场强、高带隙和良好导热性的半导体材料。 因此，SiC肖特基势垒二极管因其高速、高击穿电压、降低损耗和小型化而被用于高压电力应用。
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东芝电子元件 (Toshiba Devices & Storage (Shanghai))
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SiC肖特基势垒二极管
SiC肖特基势垒二极管（SBD）具有高反向电压额定值。除了提供具有较短反向恢复时间（trr）的SBD外，东芝还提供650V SBD，它具有结型肖特基势垒（JBS）结构，可提供开关电源所需的低泄漏电流（Ir）和高浪涌电流能力。这些器件有助于提高开关电源的效率。
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Littelfuse
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SiC肖特基二极管
相比标准的硅双极二极管，SiC肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流，这可减少开关损耗并显著提升系统效率。
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Cissoid
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High Temperature SiC Schottky Diode
(-55°C TO 225°C)
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中车电气(CRRC Times Electric)
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碳化硅肖特基二极管
SiC Schottky Barrier Diode，
SiC SBD
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派恩杰半导体(PN JUNCTION SEMICONDUCTOR)
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碳化硅二极管（SiC SBD）
SiC SBD（碳化硅肖特基二极管），相比于现在主流产品中的快速恢复二极管，能够明显地减少反向恢复损耗，而且具有高温运行特性，有利于电源的高效率化，通过高频驱动实现无源器件的小型化，同时可以降噪音。
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