产品信息高频FET　8家厂商的产品信息単

什么是高频FET？

高频FET是场效应晶体管（FET：Field Effect Transistors）中可用于高频应用的MOSFET和JFET，它们通过电场（电压）来控制电流。它们只能在相对较低的频率带宽内使用。其中，MOSFET由于其优越的噪声和失真特性，被用于几十兆赫到1GHz的带宽。在更高的带宽下，砷化镓器件开始发挥其作用。

东芝电子元件 (Toshiba Devices & Storage (Shanghai))
射频MOSFET
东芝的RF-MOSFET，输出功率在0.1W到12W之间，电源电压在3.6V到12.5V之间，适用于射频功率放大器。

英飞凌(Infineon)
HiRel Radiation Hard PowerMOS Transistor
英飞凌抗辐射功率MOS管基于我们独家的CoolMOS™技术，是世界范围内250V半导体器件抗辐射能力和电气性能的衡量基准。该器件可承受高于100krad 的电离总剂量（TID）（若有特殊要求可达300krad），采用氙离子时可抗击LET55的单粒子效应，采用铝离子则可达LET84水平。

英飞凌抗辐射功率MOS管导通电阻R DS(on)极低，考虑单粒子效应（SEE）的情况下安全工作区仍旧宽裕，是业界最优的抗辐射功率MOS管，适用于多种航空及航天应用。

若有要求，抗辐射功率MOS管也可以裸片形式供应。