产品信息 IGBT模块 17家厂商的产品信息単
什么是IGBT模块？
IGBT模块是单个或多个绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和一些外围元件组成的单元。IGBT结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，具有高输入阻抗 IGBT结合了MOSFET和双极晶体管的优点，具有高输入阻抗、快速开关、高耐压和低导通电阻等特点。 通过模块化，输出容量可以大大增加，使这些器件适用于高电压和大电流的应用。
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英飞凌(Infineon)
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CoolSiC™混合模块
碳化硅（SiC）二极管和晶体管是现代电力电子解决方案和创新电力电子解决方案的关键组件，旨在实现超高功率密度和效率。
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IGBT模块
基于尖端技术的IGBT功率模块分为多种电压等级、额定电流和拓扑结构，被广泛应用于众多应用场景。英飞凌产品的功率范围很广——从几百瓦到数兆瓦。通用驱动器、伺服单元以及太阳能逆变器或风能设备等可再生能源应用，均受益于这些高可靠产品的杰出性能、高效性和超长寿命。
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士兰微电子(Silan Microelectronics)
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IGBT及其他功率模块
IGBT module
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Cissoid
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IGBT power module
(-55°C/-40°C TO 175°C)
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新洁能(NCEPOWER)
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IGBT模块
以先进的IGBT芯片技术为基础，结合高可靠性的封装技术，新洁能推出全新的IGBT 功率集成模块（PIM）系列产品。该系列产品包括650V、750V、1200V和1700V系列产品，并搭载了不同系列的IGBT芯片，以保证产品工作效率最优；同时，可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品，满足不同的应用要求。新洁能的PIM可以广泛用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。
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华晶(HUAJING RECTIFIER)
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IGBT模块
• IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点。
• 具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点。
• 具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内。
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普芮玛半导体(Prema Semiconductor)
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IGBT模块
特点：
沟槽栅+场截止
低开关损耗
正温度系数
最高工作温度150℃
应用：
高功率逆变器
不间断电源(UPS)
感应加热
变速驱动/电机驱动
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