产品信息 GaN功率器件　7家厂商的产品信息単

什么是GaN功率器件？

GaN功率器件是以氮化镓（氮化镓）为材料的半导体。是与SiC（碳化硅）半导体并列的化合物半导体。绝缘击穿电场强度或电子饱和速度高,ON电阻低,耐热性强,散热性好。由于开关快、省电，作为GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）高频用途先行，但随着成本的降低和制造技术的进步，也扩展到一般功率器件用途。

英飞凌(Infineon)
GaN HEMT–氮化镓晶体管
CoolGaN™ —— 新的电源标杆。
氮化镓 (GaN) 相比于硅材料具备决定性的优势。尤其是相较于硅 MOSFET，氮化镓材料具备更高的临界电场、独有的出色导通电阻、更低的电容，使其尤为适用于功率半导体器件，让 GaN HEMT 成为高速开关的理想之选。由此带来的不仅是节能和系统总成本的降低，还有更高的工作频率，从而提高了功率密度和整体系统效率。氮化镓晶体管最重要的特性是其反向恢复性能。由于英飞凌 CoolGaN™ 晶体管无少数载流子和体二极管结构，因此不会出现反向恢复现象，尤为适于半桥拓扑。